Автор Тема: Ширина запрещённой зоны полупроводника  (Прочитано 360 раз)

0 Пользователей и 1 Гость просматривают эту тему.

Оффлайн Антон Огурцевич

  • Наблюдатель
  • Ветеран
  • *
  • Сообщений: 2370
  • Рейтинг: +5/-0
  • Пространство переходит во время, как тело в душу.
470. Ширина запрещённой зоны полупроводника равна Eg = 0,8 эВ. Будет ли наблюдаться внутренний фотоэффект в этом полупроводнике, если его облучать светом с длиной волны λ = 2 мкм? Сделать рисунок.

Форум сайта alsak.ru


Оффлайн Сергей

  • Наблюдатель
  • Ветеран
  • *
  • Сообщений: 2236
  • Рейтинг: +0/-0
Re: Ширина запрещённой зоны полупроводника
« Ответ #1 : 28 Апрель 2019, 17:06 »
Минимальная частота (максимальная длина волны) света, при которой возникает фотопроводимость, называется красной границей фотопроводимости. Она определяется из условий
\[ \begin{align}
  & {{E}_{g}}=\frac{h\cdot c}{\lambda }.{{E}_{g}}=\frac{6,63\cdot {{10}^{-34}}\cdot 3\cdot {{10}^{8}}}{2\cdot {{10}^{-6}}}=9,945\cdot {{10}^{-20}}. \\
 & {{E}_{g}}=\frac{9,945\cdot {{10}^{-20}}}{1,6\cdot {{10}^{-19}}}=0,62. \\
\end{align} \]
Еg - ширина запрещенной зоны, с = 3∙108 м/с, с – скорость света, h – постоянная Планка, h = 6,63∙10-34 Дж∙с, е – модуль заряда электрона, е = 1,6 ∙10-19 Кл.
0,62 эВ < 0,8 эВ, внутренний фотоэффект в этом полупроводнике при таких условиях наблюдаться не будет.
« Последнее редактирование: 05 Май 2019, 09:48 от alsak »