Форум сайта alsak.ru

Задачи и вопросы по физике => Квантовая физика => Фотоэффект. Фотоны => Тема начата: Антон Огурцевич от 28 Апрель 2019, 13:06

Название: Ширина запрещённой зоны полупроводника
Отправлено: Антон Огурцевич от 28 Апрель 2019, 13:06
470. Ширина запрещённой зоны полупроводника равна Eg = 0,8 эВ. Будет ли наблюдаться внутренний фотоэффект в этом полупроводнике, если его облучать светом с длиной волны λ = 2 мкм? Сделать рисунок.
Название: Re: Ширина запрещённой зоны полупроводника
Отправлено: Сергей от 28 Апрель 2019, 17:06
Минимальная частота (максимальная длина волны) света, при которой возникает фотопроводимость, называется красной границей фотопроводимости. Она определяется из условий
\[ \begin{align}
  & {{E}_{g}}=\frac{h\cdot c}{\lambda }.{{E}_{g}}=\frac{6,63\cdot {{10}^{-34}}\cdot 3\cdot {{10}^{8}}}{2\cdot {{10}^{-6}}}=9,945\cdot {{10}^{-20}}. \\
 & {{E}_{g}}=\frac{9,945\cdot {{10}^{-20}}}{1,6\cdot {{10}^{-19}}}=0,62. \\
\end{align} \]
Еg - ширина запрещенной зоны, с = 3∙108 м/с, с – скорость света, h – постоянная Планка, h = 6,63∙10-34 Дж∙с, е – модуль заряда электрона, е = 1,6 ∙10-19 Кл.
0,62 эВ < 0,8 эВ, внутренний фотоэффект в этом полупроводнике при таких условиях наблюдаться не будет.